IPD50N03S2-07.pdf

Описание продукта: IPD50N03S2-07 - это мощный N-канальный MOSFET, разработанный для использования в широком спектре электронных приложений, включая источники питания, преобразователи постоянного тока, силовые ключи и другие устройства.

Характеристики:

• Напряжение стока-истока (Vds): 30 В

• Напряжение затвор-исток (Vgs): ±20 В

• Ток стока (Id): 50 А

• Сопротивление открытого канала (Rds(on)): 7 мОм

• Максимальная мощность: 175 Вт

• Температурный диапазон: -55°C до +175°C

• Тип корпуса: TO-220

Особенности:

1. Высокая производительность: IPD50N03S2-07 обладает низким значением сопротивления открытого канала, что обеспечивает высокую эффективность и надежность в различных приложениях.

2. Быстрое переключение: MOSFET обладает быстрым временем переключения, что позволяет достичь высокой скорости работы системы.

3. Защитные функции: IPD50N03S2-07 имеет встроенные защитные функции, включая защиту от короткого замыкания, перегрузки и перегрева, что повышает надежность и безопасность системы.

Применение: IPD50N03S2-07 может быть использован в следующих приложениях:

• Источники питания: промышленные источники питания, блоки питания для компьютеров, зарядные устройства и другие устройства с высоким напряжением и мощностью.

• Преобразователи постоянного тока: инверторы, преобразователи постоянного тока/постоянного тока, преобразователи напряжения и другие системы энергоснабжения.

• Силовые ключи: силовые переключатели, электронные переключатели, электромеханические реле и другие системы управления.

Обратите внимание: перед использованием IPD50N03S2-07 рекомендуется ознакомиться с техническими характеристиками и руководством пользователя, чтобы правильно подключить и настроить компонент в соответствии с требованиями вашей системы.